EPC9137 1.5 kW 48 V/12 V Bi-Directional Power Module Evaluation Board Quick Start Guide

开发板EPC9147C快速入门指南

该资料介绍了EPC9147C电机驱动控制器接口板，该板可与STM32 NUCLEO-G431RB开发板配合使用，用于控制三相eGaN® FET/IC电机驱动逆变器。资料详细说明了板的连接方式、人机界面控制、测试点、监控跳线设置、兼容的电机驱动逆变器、电气规格、连接细节、编程方法和附加功能端口。此外，还提供了电机调试程序和ST Motor Control Workbench的详细使用说明。

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EPC9137 1.5 kW 48 V/12 V双向电源模块评估板快速入门指南

该资料为EPC9137 1.5 kW双向功率模块评估板快速入门指南。该模块适用于48 V至12 V的DC-DC转换应用，采用EPC2206增强型eGaN场效应晶体管，并配备EPC9528控制器模块。主要特点包括高效率、预设开关频率、可编程控制和故障保护。资料还提供了电气性能、操作注意事项、控制器信息、两板（四相）并联操作指南、编程方法、机械规格、热管理、物料清单和可选组件等信息。

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EPC90122开发板80 V半桥，带栅极驱动，使用EPC2206快速入门指南

本资料为EPC90122开发板的快速入门指南，介绍了该开发板的功能、性能参数、配置步骤和注意事项。该开发板是一款基于EPC2206 eGaN FET的80V半桥驱动板，适用于降压和升压转换器配置。指南中详细说明了如何连接电源、开关节点、栅极驱动和PWM控制信号，并提供了测量波形和效率计算的方法。此外，还讨论了热管理、测量注意事项和可选组件。

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【方案】高动态高速TOF相机优选元器件方案

本方案通过采用Melexis公司汽车级的高动态高速TOF传感技术、EPC公司的eGaN工艺的高速、低RDS(on)晶体管及其相关器件，帮助TOF相机实现高动态高速测量，避免红爆现象并可在强日光下工作，同时帮助降低发热量，提升可靠性，产品应用更广泛。

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基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240501）

EPC宣布Wafer Works成为Si基板第二家批准供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售部分编号见附录I。

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如何设计采用封装氮化镓®FET的2 kW 48 V/12 V双向电源模块应用笔记

本文介绍了使用eGaN® FETs设计2 kW 48 V/12 V双向电源模块的方法。该设计采用EPC9165双向DC-DC转换器，使用QFN封装的GaN FETs，实现96%的效率。文章详细讨论了电路设计、热管理和数字控制等方面，并提供了性能测试结果。

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基板供应商替代产品/工艺变更通知（PCN）（PCN240531）

EPC宣布Wafer Works成为第二家合格的Si基板供应商，拥有IATF 16949认证。此变更不影响产品形式、尺寸或功能。EPC将在客户接受PCN后开始使用Wafer Works的基板生产设备。受影响的销售产品编号见附录I。

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氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段可靠性报告

本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在实际应用中的表现。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了预测系统寿命的指导。此外，报告还分析了不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）中GaN器件的可靠性，并提供了优化焊接钢网设计以提高可靠性的方法。

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适用于汽车48V系统的GaN FET，助力DCDC系统高效设计

本文主要介绍了适用于汽车48V系统的GaN FET在DC-DC转换中的应用。文章分析了市场趋势，如AI、5G、大数据和云计算的兴起，以及向48V系统的迁移。文中比较了不同功率转换解决方案，如Buck、LLC和Switched Cap，并提供了具体的应用实例。文章还展示了GaN FET在提高效率、减小尺寸和降低成本方面的优势，并提供了相关产品的技术参数和应用案例。

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EPC2206 Spectre型号

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如何使用汽车级氮化镓®FET设计紧凑型低压BLDC电机驱动逆变器

本文档介绍了如何设计一款紧凑型低压BLDC电机驱动器逆变器，使用了汽车级eGaN® FET。该设计基于EPC9145板，采用六款EPC2206 eGaN FET构建的三相逆变器，支持高达250kHz的PWM开关频率。文章详细阐述了系统概览、设计概述、实验验证等内容，包括电流感应方法、过流保护电路、温度传感等关键技术细节。此外，还讨论了不同工作条件下的电容选择和热管理策略。

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