ESD5451N-TP 1-Line Bi-directional TVS Diode
●特征:
■超小型封装:1.0x0.6x0.5mm
■超低电容:典型12pF
■超低泄漏:nA级
■低工作电压:±5V
■低箝位电压
■2引脚无铅封装
■符合以下标准:
◆IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度试验
▲空气放电:±30KV
▲接触放电:±30KV
◆IEC61000-4-5(雷电)7A(8/20μs)
■符合ROHS标准
■铅饰面:NiPdAu
ESD5451N-TP单线双向TVS二极管 |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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0402;DFN1006-2 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/11/07 |
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2 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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