QX3400 30V N-Channel MOSFETs
●这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进的技术特别适合于最小化导通电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换相模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合于高效率的快速开关应用。
QX3400 30V N沟道MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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SOT23 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/11/18 |
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2.6 MB |
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