P3D06004G2 650V SiC SBD
■特征
●符合AEC-Q101的要求
●超快交换
●零反向恢复电流
●高频操作
●V-F上的正温度系数
●高浪涌电流
●100%用户界面测试
■利益
●提高系统效率
●减少散热需求
●基本上没有开关损耗
●无热失控的并联器件
P3D06004G2 650V SiC SBD |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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TO-263-2 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Nov. 2021 |
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Ver.1.2 |
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1.1 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Current Rating(A)
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QC(nC)
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IFRM@25℃(A)
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Forward Voltage(VF(type)(V)
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I(FSM)@25℃(A)
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P3D06002E2
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碳化硅二极管
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650V
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2A
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4.72nC
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10A
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1.5V
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18A
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