EPC23101 – ePower™ Chipset
●应用
■降压、升压、半桥、全桥或LLC转换器
■单相和三相电机驱动逆变器
●特征
■集成高侧egallium氮化物®FET,带内部栅极驱动器和电平移位器
■栅极驱动器输出,用于驱动外部低侧egallium氮化物FET
■5伏外部偏置电源
■3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
■独立的高压侧和低压侧控制输入
■当逻辑输入同时为高电平时,交叉传导锁定逻辑使两个FET都关闭
■外部电阻器,用于调整轨上和地下的开关时间和过电压尖峰
■在硬开关和软开关条件下运行的鲁棒电平移位器
■快速开关瞬态的假触发抗扰度
■高压侧自举电源的同步充电
■上拉VDD Disable输入引脚时,外部VDRV电源的低静态电流模式
■内部低压侧和高压侧偏置电源的欠压锁定
■失VDRV电源的HS FET和LS栅极驱动的有源栅极下拉
■QFN封装中兼容高端和低端设备的芯片组,两个设备之间具有优化的引脚输出
EPC23101–ePower™芯片组 |
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[ 降压、升压、半桥、LLC转换器 ][ 单相电机驱动逆变器 ][ 三相电动机驱动逆变器 ][ 降压、升压、全桥LLC转换器 ] |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/12/15 |
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1.1 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
|
ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
|
0.42
|
0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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