EPC23101 – ePower™ Chipset

2021-12-29
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●应用
■降压、升压、半桥、全桥或LLC转换器
■单相和三相电机驱动逆变器
●特征
■集成高侧egallium氮化物®FET,带内部栅极驱动器和电平移位器
■栅极驱动器输出,用于驱动外部低侧egallium氮化物FET
■5伏外部偏置电源
■3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
■独立的高压侧和低压侧控制输入
■当逻辑输入同时为高电平时,交叉传导锁定逻辑使两个FET都关闭
■外部电阻器,用于调整轨上和地下的开关时间和过电压尖峰
■在硬开关和软开关条件下运行的鲁棒电平移位器
■快速开关瞬态的假触发抗扰度
■高压侧自举电源的同步充电
■上拉VDD Disable输入引脚时,外部VDRV电源的低静态电流模式
■内部低压侧和高压侧偏置电源的欠压锁定
■失VDRV电源的HS FET和LS栅极驱动的有源栅极下拉
■QFN封装中兼容高端和低端设备的芯片组,两个设备之间具有优化的引脚输出

EPC23101–ePower™芯片组

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  • 大袁先生 Lv5. 技术专家 2022-09-19
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  • 一闪一闪亮眼睛 Lv7. 资深专家 2022-09-16
    学习
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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EPC2302 EPC氮化镓®FET鉴定报告

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EPC 2302_V0 TSPICE模型

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2024/06/25  - 设计模型 代理服务 技术支持 采购服务
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