AP30H100KA N-Channel Enhancement Mosfet
●特点:\n
■30V,90A
■R-DS(ON)<5.5mΩ@V-GS=10V
■R-DS(ON)<10mΩ@V-GS=4.5V
■先进的沟槽式技术
■获得无铅产品
■出色的R-DS(ON)和低栅极电荷
AP30H100kA N沟道增强型MOSFET |
|
DATA SHEET,数据手册,数据表 |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
TO-252 |
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
2021/7/1 |
|
|
|
V1.2 |
|
|
|
1.1 MB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由铨力半导体品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
AP6N10A N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP6N10A型号的N-Channel Enhancement Mosfet,详细描述了其电气特性、应用领域、封装信息以及典型特性曲线。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和高性能沟槽技术等特点,适用于DC/DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP6N10A,POWER MANAGEMENT,电源管理,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER,LOAD SWITCH,负载开关
APG018N03G N沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了APG018N03G型号的N-Channel Enhancement Mosfet(增强型N沟道MOSFET)的电气特性、应用领域、封装信息等。资料中提供了该产品的关键参数,如漏源电压、栅极源极电压、持续漏极电流、导通电阻等,并说明了其在电源管理和DC/DC转换器等领域的应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG018N03G,POWER MANAGEMENT,电源管理,DC/DC CONVERTERS,DC/DC转换器
APG013N04G-Au N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了APG013N04G N-Channel增强型MOSFET的特性。该器件采用Split Gate trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于PWM应用和负载开关电源管理。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG013N04G-AU,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
铨力半导体Trench MOS选型表
铨力半导体提供如下参数的Trench MOS:先进的沟槽技术,出色的RDS(on)和低栅极电荷, VGS (V)跨度达±20,多种封装形式SOT23-3/SOT23-6/SOP-8等
产品型号
|
品类
|
Package Type
|
Configuration
|
MOSFET Type
|
VDS (V)
|
VGS (V)
|
Vth (V)
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=10V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=4.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=2.5V
|
RDS(on) (mΩ) max. at VGS=1.8 V
|
ID(A) Tc=25℃
|
ID(A) Tc=100℃
|
AP2302B
|
Trench Mos
|
SOT23
|
Single
|
N
|
20
|
±8
|
0.5-1.2
|
-
|
45/52
|
52/67
|
-
|
2
|
-
|
AP85N04Q N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP85N04Q,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG046N01G N沟道增强型MOSFET数据手册
本资料为某款电子元器件的修订历史记录,包含产品版本更新、发布日期和备注。同时,附带了免责声明,强调产品在非标准工作条件下的性能不可保证,并提醒用户在使用过程中需自行评估产品功能。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG046N01G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP4410 N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP4410,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP30H80G N沟道增强型MOSFET数据手册
本资料介绍了AP30H80G型号的N-Channel增强型MOSFET。内容包括该器件的电学特性、封装信息、订购信息和修订历史。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP30H80G,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP30H80G N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP30H80G N-Channel增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于电源管理、负载开关和PWM应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP30H80G,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
AP30H180K N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP30H180K,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP68N06G-Au N沟道增强型MOSFET数据手册
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP68N06G-AU,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP3406 N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP3406型号的N-Channel Enhancement型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻和低栅极电荷,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP3406,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
APG077N01G N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG077N01G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG4015G-Au N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了APG4015G-AU型号的N-Channel增强型MOSFET。该器件由All Power Microelectronics Co., Ltd生产,符合AEC-Q101标准,适用于高温环境下的应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG4015G-AU,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP3400D N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP3400D N-Channel增强型MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻和低栅极电荷,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP3400D,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论