DOS4800 Dual N-Channel MOSFET

2022-01-05
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● 这种双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供优良的R-D(on)。它可用于多种应用。

● 特征:

■ V-DS=30V,I-D=6.9A,R-DS(ON)<32mΩ@V-GS=10V
■ 低门电荷。

■ 绿色设备可用。

■ 用于ultra R-DS(ON)的先进高单元密度沟槽技术。

■ 良好的散热封装。

DOS4800双N沟道MOSFET

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产品型号
品类
VDSS(V)(MIN)
ID(A) at 25℃
VGS(V)(MAX)
Ciss(pF)(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
DB010NG
MOSFET
20V
30A
12V
990pF
8MΩ
10MΩ
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SC025DNG PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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