ZC020PG P-Channel MOSFET

2022-01-05
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●描述
■该P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的R-D（on）。它可用于多种应用。

●特征：

■V-DS=-30V，I-D=-30A，R-DS（ON）<18mΩ@V-GS=-10V
■低门电荷。

■绿色设备可用。

■用于ultra R-DS（ON）的先进高单元密度沟槽技术。

■良好的散热封装。

ZC020PG P沟道MOSFET

杜因特

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