BFG540 MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
■本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益、低噪声系数、较宽的转换频率、低漏电流、金材质引出结构，具有较高的可靠性；
▲主要应用于超高频微波、VHF、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器中， 如卫星电视调谐器、CATV 放大器、模拟数字无绳电话、雷达探测器、射频模块和光纤传输中的中继放大器等产品；
▲集电极-发射极击穿电压：BV-CEO=12V，最大集电极电流：I-C=120mA,集电极耗散功率：P-C=400mW，特征频率：f-T=9GHz；
▲采用 4 引脚（宽集电极引脚与双发射极引脚）的 SOT143B 表面贴塑封， BFG540 与 BFG540/X 的封装形式相同，引脚的定义不同。
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BFG540微波低噪声放大器NPN硅外延晶体管 |
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[ 超高频微波高频宽带低噪声放大器 ][ VHF 高频宽带低噪声放大器 ][ UHF 高频宽带低噪声放大器 ][ CATV 高频宽带低噪声放大器 ][ 卫星电视调谐器 ][ CATV 放大器 ][ 模拟数字无绳电话 ][ 雷达探测器 ][ 射频模块 ][ 中继放大器 ] |
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数据手册 |
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详见资料 |
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SOT143B |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/8/10 |
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