FFSD0465A Silicon Carbide Schottky Diode
●650伏4安
●描述
■碳化硅(SiC)肖特基二极管采用了一种全新的技术,与硅相比,它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流、与温度无关的开关特性和优异的热性能使碳化硅成为下一代功率半导体。系统的好处包括最高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI以及更小的系统尺寸和成本。
●特征
■最高结温175°C
■雪崩额定功率25兆焦耳
■高浪涌电流容量
■正温度系数
■易于并行
■无反向恢复/无正向恢复
■Tliis设备无铅、无卤素/BFR,符合RoHS标准
FFSD0465A碳化硅肖特基二极管 |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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DPAK3 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/1/30 |
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Rev. 4 |
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FFSD0465A/D |
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456 KB |
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