DIT195N08 N-Channel Power MOSFET
●ID25°C=195 A
●RDS（开）~4.1兆欧
●Tjmax=175°C
●VDSS=85 V
●PD=300瓦
●EAS=1800兆焦耳
●特征
■先进的沟槽技术
■低导通状态电阻
■快速切换时间
■低门电荷
■雪崩等级
■符合RoHS（例如7a）、REACH、冲突矿产
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DIT195N08 N沟道功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-220AB |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021-12-07 |
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Version 2021-12-07 |
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642 KB |
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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