ASC60N1200MT4 1200V N-Channel MOSFET

ASC75N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASC75N1200MT4PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装信息。该MOSFET采用碳化硅（SiC）技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

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ASC60N1200MT4 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASC60N1200MT4型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和封装信息。该产品采用碳化硅(SiC)技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关性能和低电容等特点，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电等领域。

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ASC20N1200MT3PB 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASC20N1200MT3PB型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高开关速度、低导通电阻、高阻断电压和快速反向恢复等特性，适用于可再生能源、高压直流/直流转换器、开关电源和不间断电源等领域。

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爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

公司简介和芯片/模块产品规则    芯片    模块    参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍   

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ASC60N1200MT4 PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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ASR80N1200MD88 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASR80N1200MD88型碳化硅（SiC）MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该产品采用全新技术，提供优异的开关性能和可靠性，具有极低的开关损耗、高阻断电压、低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，适用于多种高效率、高功率密度应用。

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ASR45N1200MD02 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASR45N1200MD02型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数、热特性以及应用领域。该产品采用碳化硅（SiC）技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特点，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

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ASR80N1200MD02 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASR80N1200MD02型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。

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ASC30N1200MT4PB 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASC30N1200MT4PB这款1200V N-Channel MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该MOSFET采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻等特性，适用于电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关模式电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域。

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ASC100N1200MT4 1200V N沟道MOSFET

本资料详细介绍了ASC100N1200MT4型1200V N-Channel MOSFET的特性，包括其高速开关、低电容、高阻断电压、低RDS(on)等优势，以及其在电动汽车驱动、高压DC/DC转换器、开关电源、太阳能逆变器、电动汽车充电等领域的应用。

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爱仕特科技有限公司: 第三代半导体碳化硅芯片及模块

深圳爱仕特科技有限公司致力于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块生产及其在新能源领域的应用系统开发，包括新一代移动大功率充电机、车载双向OBC、新能源汽车电机控制器及动力总成系统，是高速成长的高科技技术创新型企业。

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ASC30N1200MT7 1200V N沟道MOSFET

该资料详细介绍了ASC30N1200MT7型1200V N-Channel MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用碳化硅(SiC)技术，具有高速开关、低电容、高阻断电压和低导通电阻等特性，适用于电动汽车充电、高压DC/DC转换器、开关电源和功率因数校正模块等应用。

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