NVMFD6H852NL Power MOSFET

2022-01-29
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■特征
●占地面积小（5x6毫米），设计紧凑
●低R-DS（on）以最小化传导损耗
●低Q-G和电容，将驱动器损耗降至最低
●NVMFD6H852NLWF− 可湿侧面选项，用于增强光学检测
●AEC−Q101合格且具备PPAP能力
●这些设备是Pb−Free，符合RoHS标准吗

NVMFD6H852NL功率MOSFET

ONSEMI

NVMFD6H852NL、NVMFD6H852NLWF、NVMFD6H852NLT1G、NVMFD6H852NLWFT1G

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功率 MOSFET、双N沟道MOSFET

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