RU18N65P N-Channel Advanced Power MOSFET

2022-02-26
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●特性
■650V/18A,
▲R-DS(ON)=410mΩ(典型值)@V-GS=10V
■低反向传输
■超低栅极电荷
■100%雪崩测试
■提供无铅绿色器件(符合RoHS规范)

RU18N65P N沟道高级功率MOSFET

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