RU6199S N-Channel Advanced Power MOSFET
●特性
■60V/200A,
▲R-DS(ON)=2.8mΩ(典型值)@V-GS=10V
■超高密度电池设计
■超低导通电阻
■100%雪崩测试
■提供无铅绿色器件(符合RoHS规范)
RU6199S N沟道高级功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO263 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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AUG., 2019 |
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Rev. B |
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1.2 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Channel
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ESD Diode (Y/N)
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VDSS(V)
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VTH(V)
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IDS(A)@TA=25℃ (A)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)
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RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)
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Package
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RU207C
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MOSFET
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N
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N
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20
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0.5-1.1
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6
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10
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15
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SOT23-3
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