RU6199S N-Channel Advanced Power MOSFET

2022-02-26
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●特性
■60V/200A,
▲R-DS(ON)=2.8mΩ(典型值)@V-GS=10V
■超高密度电池设计
■超低导通电阻
■100%雪崩测试
■提供无铅绿色器件(符合RoHS规范)

RU6199S N沟道高级功率MOSFET

锐骏半导体

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