PT9926 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
●VDS=20V
●RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@5.2A<40mΩ<br>
●RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@6A<30mΩ<br>
■特点:
●先进的沟槽工艺技术
●超低导通电阻的高密度电池设计
●高功率和电流处理能力
●非常适合锂离子电池组应用
PT9926 20V N沟道增强型MOSFET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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SOP-8 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2012-7-8 |
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504 KB |
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