BL10N40 Power MOSFET

2022-03-14
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●描述：

■BL10N40硅N沟道增强MOSFET采用先进的MOSFET技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。晶体管适用于开关电源、高速开关和通用应用。

●特征：

■快速切换
■低CRS
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt能力
■RoHS产品

BL10N40功率MOSFET\n

上海贝岭

BL10N40、BL10N40-P、BL10N40-A、BL10N40-U、BL10N40-D、10N40

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产品型号
品类
VDSS(V)
ID(A)
RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Typ.
RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Max.
VGS(th) (V) Min.
VGS(th) (V)Typ.
VGS(th) (V) Max.
Package
BL36N12L
高压平面型场效应晶体管
120
36
0.05
0.06
1.5
2
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