DI070P04PQ P-Channel Power MOSFET

2022-03-15
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●ID25°C=-70 A
●RDS(on)<6.5 mΩ
●Tjmax=150°C
●VDSS=-40 V
●PD=46瓦
●EAS=150兆焦耳
●特征
■低调、节省空间的封装
■低导通状态电阻
■快速切换时间
■低门电荷
■雪崩等级
■符合RoHS(exemp.7a)REACH,冲突矿产

DI070P04PQ P沟道功率MOSFET

DIOTEC

DI070P04PQDI070P04PQ-AQ

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产品型号
品类
Type
Package
Drain Source Voltage VDS[V]
Drain Current ID[A]
Junction Temperature Tjmax[℃]
Polarity pol
Power Dissipation Ptot [W]
Peak Drain Current IDM [A]
Threshold Voltage VGSth[V]
On-Resistance RDSon[Ω]
On-Resistance ID[A]
On-Resistance VGS[V]
Turn-OnTime ton[ns]
Turn-Off Time toff[ns]
2N7000
MOSFETs
Wire-lead
TO-92
60
0.2
150
N
0.35
0.5
0.8
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1
10
10
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