MMFTN6001 N-Channel Enhancement Mode FET
■功能
●ESD保护门
●快速开关时间
●符合RoHS(w/o EXEMP.)REACH,冲突矿物
MMFTN6001 N沟道增强型FET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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SOT-23;TO-236 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/2/23 |
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Version 2021-07-14 |
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1.1 MB |
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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