BLM2010E N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

时间： 2022-03-21

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● BLM2010E采用先进的沟槽技术，提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。对此表示抗议。

● 一般特征：

■ V-DS=20V，I-D=7A
◆ 类型。R-DS（ON）=16mΩ@V-GS=4.5V
◆ 类型。R-DS（ON）=20mΩ@V-GS=2.5V
◆ ESD额定值：2000V HBM
■ 高功率和电流处理能力
■ 获得无铅产品
■ 表面贴装封装

中文标题（翻译）:	BLM2010E N沟道增强型功率MOSFET
厂牌:	上海贝岭
型号:	BLM2010E 查看更多 Part#
品类:	N通道增强模式功率MOSFET 查看更多
应用:	[ 脉宽调制 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TSSOP-8 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2014/5/7
过期日期:
版本号:	V3.1
文档编码:
文件大小:	410 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
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RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 10V Max.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 4.5V Max.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Typ.

RDS(ON)(mΩ)@VGS = 2.5V Max.

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品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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品类：集成电路

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