EPC eGaN® FET EPC2302 Qualification Report
EPC的egallium氮化物FET在硅基功率MOSFET的典型条件下进行了多种应力测试。这些测试包括:
● 高温反向偏置(HTRB):零件在最高额定温度下承受漏源极电压
● 高温栅偏压(HTGB):零件在最高额定温度下承受栅源电压
● 高温储存(HTS):零件在最高额定温度下受热
● 温度循环(TC):零件承受交替的高温和低温极限
● 高温高湿反向偏压(H3TRB):零件在高温下承受湿度,并施加漏源极电压
● 湿度敏感度(MSL):零件经受湿度、温度和三个回流循环
● 无偏高加速应力试验(uHAST):零件在极端温度和湿度下进行一段时间。
应力偏压后的直流电测试验证了器件的稳定性。在时间零点和室温下的临时读数点测量电气参数。将栅源泄漏、漏源泄漏、栅源阈值电压和导通状态电阻等电气参数与数据表规范进行比较。当零件超过数据表规格时,记录故障。egallium氮化物场效应晶体管应尽可能满足最新的联合电子器件工程委员会(JEDEC)标准。
除TC外,所有测试的零件均安装在高Tg FR4适配卡上。使用了厚度为1.6 mm、带有两层铜的适配卡。顶部的铜层为1盎司或2盎司,底部的铜层为1盎司。Kester NXG1 3型SAC305焊料不含清洁助焊剂,用于将零件安装到适配卡上。
EPC氮化镓®FET EPC2302鉴定报告 |
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测试报告,Qualification Report,鉴定报告 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/1/22 |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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