WM2A060065K N-Channel SiC Power MOSFET
■特征:
●第二代SiC MOSFET技术
●高阻断电压,低导通电阻
●低电容高速开关
●具有低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管
■好处:
●更高的系统效率
●降低冷却要求
●功率密度增加
●增加系统开关频率
●易于并行和简单驱动
●启用图腾杆PFC拓扑
WM2A060065K N沟道SiC功率MOSFET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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TO-247-3 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/12/29 |
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Version 2.1 |
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405 KB |
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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RDS(on)(mΩ)
|
GEN
|
Drain Current(A) TC=25℃
|
VGS(th)(V) (Typ.)
|
Gate Charge Total(Qg)(nc)
|
Total Power Dissipation(PTOT)(W)
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Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )
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Package
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质量等级
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WM2V020065K
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SiC MOSFET
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650V
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20mΩ
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G2
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92A
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2.6V
|
187nc
|
312W
|
175℃
|
TO-247-3
|
车规级
|
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