2KC1106 NPN Silicon RF Transistor

MMBTA94（KMBTA94）PNP晶体管

本资料介绍了MMBTA94（KMBTA94）型PNP晶体管的特点和应用。该晶体管具有高击穿电压、低饱和压降和高电流增益等特点，适用于各种电子电路。

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BFG540 NPN 9GHz宽带晶体管

本资料介绍了BFG540型NPN 9GHz宽带晶体管的技术规格和应用。该晶体管具有高功率增益、低噪声系数和高转换频率等特点，适用于高频通信系统。

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BFU590Q NPN宽带硅射频晶体管

该资料详细介绍了BFU590Q型NPN宽带硅射频晶体管的技术规格和应用。内容包括其特性、绝对最大额定值、电气特性、典型特性曲线等。

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2KC1106 PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

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FZT857 NPN硅平面大电流晶体管

本资料介绍了FZT857型NPN硅平面高电流晶体管的产品特性，包括其电气参数、工作温度范围、最大额定值等。资料提供了详细的电学特性数据，如集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、饱和电压等。

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MJD122（KJD122）TO-252 NPN达林顿晶体管

本资料介绍了SMD型NPN达林顿晶体管MJD12（KJD12）的特性。该产品具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点，适用于工业用途。

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BFQ19S NPN硅射频晶体管

本资料介绍了型号为BFQ19S的NPN硅射频晶体管。该晶体管适用于低噪声、低失真宽带放大器，在天线和电信系统中工作频率可达1.5GHz，集电极电流从10mA到70mA。

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2SC3632-Z NPN晶体管

本资料介绍了型号为2SC3632-Z的NPN晶体管。该晶体管具有高电压、高速特性，与2SA1413-Z互补。资料提供了其绝对最大额定值、电学特性参数以及hfe分类。

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KI1304BDL N沟道30 V（D-S）MOSFET

本资料介绍了型号为KI1304BDL的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的特性。该器件采用TrenchFET技术制造，具有高电流承载能力和低导通电阻，适用于各种电源管理应用。

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2SA1812 PNP晶体管

本资料介绍了SMD型PNP晶体管2SA1812的特性。该晶体管具有高击穿电压（BVCEO=-400V）、高速开关特性（tf: 1us at IC = -100mA）等特点。资料提供了绝对最大额定值、电气特性、典型特性曲线等信息。

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2KC1103 NPN晶体管

该资料介绍了型号为2KC1103的NPN晶体管的产品规格和应用信息。内容包括绝对最大额定值、电气特性、典型特性曲线等。

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KI2328DS N沟道100-V（D-S）MOSFET

本资料介绍了型号为 KI2328DS 的 N-Channel 100-V (D-S) MOSFET，属于 SOT-23 封装。内容包括绝对最大额定值、电学特性参数、热阻等级等。

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FZT658 NPN硅平面高压晶体管

本资料介绍了型号为FZT658的高压硅平面晶体管。该产品具有低饱和电压、高集电极-基极电压（VCBO）和高集电极-发射极电压（VCEO）。它适用于各种高压应用，并提供了详细的电气特性参数。

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2SC4616硅NPN三重扩散型晶体管

本资料介绍了SMD型双极型晶体管2SC4616的技术规格和应用。该晶体管具有高阻断电压、大电流容量和低饱和压降等特点，适用于各种电子电路。

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KI1302DL N沟道30 V（D-S）MOSFET

本资料介绍了型号为KI1302DL的N-Channel 30-V (D-S) MOSFET的特性。内容包括绝对最大额定值、电学特性参数，以及热阻等级。

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