SGT N80-85V Power MOSFET

2022-04-12
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●扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品,采用先进的SGT(Shield Gate Trench MOSFET)制程工艺,针对电机驱动、BMS等应用设计,优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时,提升MOSFET抗冲击电流能力。
●N80V-N85V系列MOSFET产品具有TO-220、TO-263、 TO-252、 PDFN5060等 多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等,是其核心的功率控制部件。
●扬杰科技目前已推出N40V、N60V、N80V-N85V、 N100V、 N120V等 多个SGT工艺系列产品,解决客户的多种应用需求。
●产品特点
■采用SGT工艺,极低的Rdson和优异的开关特性,带来更低的FOM,减小系统损耗。
■和传统Trench工艺比Ciss/Qg参数都有大幅优化,设计MOSFET驱动时有更多选择。
■针对系统应用中的各种异常工作状态,优化MOS产品EAS特性,提高系统可靠性。
●应用领域
■PD电源
■逆变器电源
■锂电池BMS
■电机驱动

SGT N80-85V功率MOSFET

扬杰科技

N80VN85VN85V系列N80V系列YJG100G08AYJG100G08EYJD110G08AYJP120G08AYJB120G08AYJP118G08HYJB118G08HN80

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TO-220;TO-252;TO-263;PDFN5060

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