HRW0502A Silicon Schottky Barrier Diode
●特点
■低正向压降，适用于高效率整流。\n？MPAK封装适用于高密度表面贴装和高速组装。
|
HRW0502A硅肖特基势垒二极管 |
|
|
|
|
|
数据手册,数据表,Data Sheet |
|
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
|
|
|
SOT-23;MPAK |
|
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
|
2020/2/24 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
52 KB |
|
| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com | |
| 世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由科信品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
HSC226硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSC226的特性，包括其尺寸、最大额定值和电气特性。该二极管具有低反向电流和电容的特点，采用超小型扁平封装（UFP），适用于表面贴装设计。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSC226
HSU88硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了HSU88型硅肖特基势垒二极管（Silicon Schottky Barrier Diode）的技术规格和应用。该二极管具有低电容、低正向电压等特点，适用于高密度表面贴装和高速度组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSU88
HSC276硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSC276的特性。该二极管具有高正向电流和低电容的特点，采用超小型Flat Package（UFP）设计，适用于表面贴装技术。资料提供了反向电压、平均整流电流、结温、存储温度等电学参数。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSC276
HSB88WA硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSB88WA的特性。该二极管具有低反向电流和低电容的特点，适用于高密度表面贴装和高速度组装的CMPAK封装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSB88WA
HRW0302A硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0302A的产品规格和应用。该二极管具有低正向压降，适用于高效整流，并采用MPAK封装，适合高密度表面贴装和高速组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0302A
HSM276S硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSM276S，该器件采用SOT-23封装，具有高正向电流和低电容的特性。适用于平衡混频器使用，并具备良好的表面贴装和高速度组装适应性。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSM276S
HSM88WA硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSM88WA的产品规格和应用。该二极管采用SOT-23封装，具有高反向电压承受能力，适用于高密度表面贴装和高速组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSM88WA
HRW0203A硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0203A的技术规格和应用。该二极管具有低正向压降，适用于高效率整流，并采用MPAK封装，适合高密度表面贴装和高速度组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0203A
HSM276SR硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSM276SR的规格和应用。该二极管具有高正向电流和低电容特性，适用于平衡混频器使用，并采用MPAK封装以适应高密度表面贴装和高速组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSM276SR
HRW0503A硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0503A的技术规格和应用。该二极管具有低正向压降，适用于高效整流和高密度表面贴装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0503A
HRW0202B硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0202B的产品规格和应用。该二极管具有低正向压降，适用于高效整流，采用MPAK封装，适合高密度表面贴装和高速组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0202B
HSM107S硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSM107S的特性。该二极管采用SOT-23封装，具有低正向压降和高效率的特点，适用于保护电路免受外部过电压和系统误操作的影响。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSM107S
HRW0703A硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0703A的技术规格和应用。该二极管具有低正向压降，适用于高效整流，采用MPAK封装，适合高密度表面贴装和高速组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0703A
HRW0202A硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HRW0202A的特性，包括其低正向压降、适用于高效率整流的特点。该二极管采用MPAK封装，适合高密度表面贴装和高速度组装。资料还提供了最大重复峰值反向电压、平均整流电流、非重复峰值正向浪涌电流等电学参数。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HRW0202A
HSM88ASR硅肖特基势垒二极管
本资料介绍了Silicon Schottky Barrier二极管HSM88ASR的产品规格和应用。该二极管采用SOT-23封装，具有高反向电压承受能力，适用于高密度表面贴装和高速度组装。
科信 - 硅肖特基势垒二极管,SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE,HSM88ASR
电子商城
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论