KDB2670(FDB2670) 200V N-Channel PowerTrench MOSFET

2022-04-24
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●特性
■19 A,200 V.R-DS(ON)=130 mΩ@V-GS=10 V
■低栅极电荷(典型值27 NC)
■快速开关速度
■高性能沟槽式技术,可实现极低的R-DS(ON)
■高功率和电流处理能力

KDB2670(FDB2670)200V N沟道PowerTrench MOSFET

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VTH(Min.)
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