2KJ6024 P-Channel MOSFET
●特性
■VDS（V）=-40V
■ID=-40A
■RDS（ON）<14mΩ@VGS=-10V
■超低R的高密度电池设计
■完全特征化的雪崩电压和电流
■高EAS的良好稳定性和均匀性
■良好的散热封装
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2KJ6024 P沟道MOSFET |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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TO-252 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/2/24 |
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454 KB |
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