2SJ599 MOS Field Effect Transistor
●特性
■低导通电阻
◆RDS（ON）1=75mΩmax。（VGS=-10 V，ID=-10A）
◆RDS（ON）2=110 mΩmax。（VGS=-4.0V，ID=-10 A）
■低CISS：CISS=1300 PF（典型值）
■内置栅极保护二极管
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2SJ599 MOS场效应管 |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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TO-252 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/2/24 |
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50 KB |
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