NDT110N03 N-Channel MOSFET
●特性
■V-DS（V）=30V
■I-D=110 A（V-GS=10V）
■R-DS（ON）<4mΩ（V-GS=10V）
■R-DS（ON）<6mΩ（V-GS=4.5V）
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装
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NDT110N03 N沟道MOSFET |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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TO-252 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/8/27 |
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346 KB |
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产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VGSS(V)
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VTH(Min.)
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VTH(Max.)
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RDSON(mΩ)
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Qg(nC)
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PD(W)
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2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
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SOT23-3
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20
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5
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10
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0.4
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1
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25
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16.8
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1.25
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