KDB3652 (FDB3652) N-Channel PowerTrench MOSFET
●特性
■R-DS（ON）=14MΩ（典型值），V-GS=10V，I-D=61A
■Q-G（TOT）=41nC（典型值），V-GS=10V
■低米勒电荷
■低QRR体二极管
■UIS能力（单脉冲和重复脉冲）
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KDB3652（FDB3652）N沟道PowerTrench MOSFET |
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数据手册,数据表,Data Sheet |
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详见资料 |
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TO-263 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2020/2/24 |
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53 KB |
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产品型号
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品类
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package
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VGSS(V)
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VTH(Min.)
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VTH(Max.)
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RDSON(mΩ)
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Qg(nC)
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PD(W)
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2KK5001DS
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N-Channel MOSFET
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SOT23-3
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20
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5
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10
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0.4
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1
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25
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16.8
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1.25
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