第4代SiC MOSFET半桥评估板使用说明书
■由于SiC MOSFET涉及到使用高电压及大电流，因此为了确定优化EMC噪声和电源效率的工作条件，需要在各种条件下进行评估。但是，构建适当的评估环境并非易事。为评估开关特性，我们准备了能够简单地设定各种条件的评估板，可高效地实施SiC MOSFET的评估。
■该用户指南对封装TO-247N以及TO-247-44L用评估板的使用方法进行了说明。关于产品规格的详细信息，请参阅《第4代SiCMOSFET评估板产品说明书》。
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P04SCT4018KE-EVK-001、P05SCT4018KR-EVK-001、SCT4018KE、SCT4018KR、SCT4045DE、SCT4026DE、SCT4013DE、SCT4062KE、SCT4036KE、SCT4045DR、SCT4026DR、SCT4013DR、SCT4062KR、SCT4036KR、PCB005P、PCB004P、BD7F200EFJ、BM61M41RFV-C |
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用户指南,使用说明书 |
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详见资料 |
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TO-247-4L;TO-247N |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022.2 |
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Rev.001 |
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63UG061C |
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5.5 MB |
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| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
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