JMSL0601AG 60V 0.90mΩ N-Ch Power MOSFET
●特性:
■低R-DS(ON)
■低栅极电荷
■高电流能力
■100%UIs测试,100%RG测试
JMSL0601AG 60V 0.90mΩN沟道功率MOSFET |
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数据手册,数据表,data sheet |
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详见资料 |
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PDFN5x6-8L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/3/6 |
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Rev. 1.1 |
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497 KB |
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产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
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EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
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0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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114nC
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30000
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