SiC FET User Guide

时间： 2022-05-19

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●介绍
■本SiC FET用户指南介绍了将RC缓冲器与快速开关SiC器件结合使用的实用解决方案和指南。实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。精确测量缓冲损耗，以帮助用户计算缓冲电阻器的额定功率。在UnitedSiC\u AN0018“用缓冲器切换快速SiC FET”中，分析了缓冲器对硬开关和软开关应用的有益影响。请查看我们的网络研讨会以了解更多详细信息：将快速SiC FET的EMI和开关损耗降至最低

中文标题（翻译）:	SiC FET用户指南
厂牌:	UnitedSiC
型号:	UJ3C、UF3C、UF3SC、UJ4C、UJ4SC、UF4C、UF4SC、UJ3C065080T3S、UJ3C065080K3S、UJ3C065080B3、UF3C065080T3S、UF3C065080K3S、UF3C065080B3、UF3C065080B7S、UF3C065080K4S、UF3C065040T3S、UF3C065040K3S、UF3C065040B3、UF3SC065040B7S、UF3C065040K4S、UJ3C065030T3S、UJ3C065030K3S、UJ3C065030B3、UF3C065030T3S、UF3C065030K3S、UF3C065030B3、UF3SC065030B7S、UF3C065030K4S、UF3SC065007K4S、UF3C120400K3S、UJ3C120150K3S、UF3C120150K3S、UF3C120150B7S、UF3C120150K4S、UJ3C120080K3S、UF3C120080K3S、UF3C120080B7S、UF3C120080K4S、UJ3C120070K3S、UJ3C120040K3S、UF3C120040K3S、UF3SC120040B7S、UF3C120040K4S、UF3SC120016K3S、UF3SC120016K4S、UF3SC120009K4S、UF3C170400K3S、UF3C170400B7S、UJ4SC075006K4S、UJ4SC075009K4S、UJ4SC075011K4S、UJ4C075018K4S、UJ4C075018K3S、UJ4C075023K4S、UJ4C075023K3S、UJ4C075033K4S、UJ4C075033K3S、UJ4C075044K4S、UJ4C075044K3S、UJ4C075060K4S、UJ4C075060K3S、UF4SC120023K4S、UF4SC120030K4S、UF4SC120053K4S、UF4SC120053K3S、UF4SC120070K4S、UF4SC120070K3S、UF series、UF3CxxxyyyK4S、UF3CxxxyyyK3S、UJ3CxxxyyyK3S、UJ4CxxxK3S 查看更多 Part#
品类:	场效应晶体管、SiC场效应管查看更多
应用:	查看更多
资料类型:	User Guide,用户指南查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO247-3L;TO220-3L;TO247-4L;D2PAK-3L;D2PAK-7L;TO247-7L 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	April 2022
过期日期:
版本号:	UnitedSiC_UG0001
文档编码:
文件大小:	1.3 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格，提供了不同型号器件的栅极驱动电压和应用类型信息。

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September 2021 - 用户指南查看更多版本

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格，详细说明了不同型号的SiC FET的参数和应用类型。

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September 2021 - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

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December 2019 - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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December 2018 - 用户指南 - version 4.0

【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法

UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。

2020-11-02 - 设计经验

【经验】在高速开关碳化硅场效应管（SiC FET）中接入RC缓冲电路，能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用，本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势，解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET，该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

2019-12-07 - 设计经验

1200V第4代SiC FET具有业界最佳性能，为高压市场提供最佳SiC电源解决方案

**1200V Gen 4 SiC FETs性能卓越，助力高压市场发展** 本文介绍了UnitedSiC（现Qorvo）推出的1200V Gen 4碳化硅场效应晶体管（SiC FET），该产品家族扩展至更高电压应用。新推出的六款产品，包括23毫欧姆至70毫欧姆的UF4C/SC系列，提供TO247-4L（kelvin连接）封装的1200V/53毫欧姆和70毫欧姆SiC FET，以及TO247-3L封装的70毫欧姆SiC FET。这些SiC FET在性能上具有优势，适用于电动汽车市场向800V车载充电器（OBC）和DC/DC转换器的发展。新FET采用先进的垂直沟槽器件结构，提供行业最佳性能，包括最低的RDS(on) x Area、RDS(on) x Eoss、RDS(on) x Coss、(tr)和RDS(on) x Qg。此外，这些SiC FET还提供优异的热性能，有助于提高功率处理能力和降低开关损耗。

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May 2022 - 商品及供应商介绍