HCS80R1K4ST 800V N-Channel Super Junction MOSFET

2022-06-10
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●特性
■极低FOM（R-DS（ON）X Q-G）
■极低开关损耗
■出色的稳定性和一致性
■100%雪崩测试
■内置ESD二极管

HCS80R1K4ST 800V N沟道超级结MOSFET

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SemiHow MOSFET选型表

SemiHow提供如下参数的MOSFET：Technology：S3、S2、Q1；VDS [V]：60~900；ID @25℃ [A]：1~68.8；RDS(on)  (max.)@VGS=10V[Ω]：0.022~11.5；VGS(th) (min.)[V]：2~3；VGS(th) (max.)[V]：3.5~5；PD @25℃ [W]：3.1~417；Qg [nC]：3.9~186；EAS [mJ]：21~1152；包括D-PAK、TO-220FT、I2-PAK、D2-PAK等多种封装形式。

产品型号
品类
Technology
Package
VDS [V]
ID @25℃ [A]
RDS(on) (max.)@VGS=10V[Ω]
VGS(th) (min.)[V]
VGS(th) (max.)[V]
PD @25℃ [W]
Qg [nC]
EAS [mJ]
HCD60R2K4
MOSFET
S3
D-PAK
600
2.3
2.4
2
4
29
4.1
21
选型表  -  SemiHow 代理服务 技术支持 采购服务 立即选型

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