2SK2225 1500V - 2A - MOS FET High Speed Power Switching

2018-05-07

2SK2225 1500V-2A-MOS FET高速功率开关

RENESAS

2SK22252SK2225-E

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1500伏-2A-场效应晶体管

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Dec 06, 2017

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全部评论(1

  • 小艾艾 Lv5. 技术专家 2018-12-14
    好资料,看看。
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2005年09月01日  - 数据手册  - Rev.2.00

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求,在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块,实现了管脚与风道之间的相互独立。同时,采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感,提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  -  DSP,FUSE,驱动光耦,SIC二极管,半导体制冷片TEC,H桥模块,SPFC模块,PCB导热材料,采样电阻,高压MOSFET,导热垫片,保险丝,4G模组,TVS,ANPFC模块,数字信号处理器,隔离芯片,相变材料,LDO,IGBT单管,电流检测,驱动IC,快恢复二极管,2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019,20KW充电桩,充电桩,60KW充电桩,充电栓,20KW~60KW充电桩

优选器件方案  - V1.1

【方案】4KW便携式高频逆变电焊机优选元器件方案

本方案采用Littlefuse SIC功率器件、Silicon labs电容隔离驱动、Renesas高压MOSFET和Shindengen片状整流桥等器件组成的高频逆变电路,可将机器工作频率提升到100KHz以上,效率提高到80%左右,同时机器体积可缩小近15%左右。解决了产品效率低、体积大、操作时电焊机移动不方便等问题。

NIPPON CHEMI-CON,RENESAS,SHINDENGEN,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO,WIMA,TT ELECTRONICS  -  SIC 二极管,MOSFET,整流桥,SIC MOS 管,2SK2225-80-E,LRMAP3920,D50XB80,TFLEX HD300,TPCM780,SMDTF03100QA00MQ00,R5F562TAADFP,LRMAP5930,1.5KE150CA,EKMW401VSN821MA40S,SI8273,SI827X,SGM6130,LSIC1M0120E0080,SI8620,D50JCB80,LSIC2SD120E20CC,250R145,2SK2225,LSIC1MO120E0080,电焊机,逆变电焊机,DC-DC 芯片,高频电焊机,采样电阻,铝电解电容器,导热垫片,单片机,TVS,焊接电源,隔离芯片,相变材料,薄膜电容,驱动IC,高频逆变电焊机,MCU,PTC

优选器件方案  - V1.1

我们设计一款电焊机,380V 三相AC输入,在辅助电源原设计ST MOSFET 型号STFW3N150,电路中额定电流0.8A,裕量留的很大,近期考虑第二供应商,请推荐性能相当的供应好的MOSFET.

推荐RENESAS 2SK2225-80-E,世强常推,有备货。这款高压 MOSFET漏源电压VDS1500V ,漏极连续电流ID 2A,满足贵司系统辅助电源设计中需求,因为交流380V输入,经过开方计算,整流滤波后在537V左右,国家允许10%波动,则最高591V,2SK2225-80-E在2.5倍以上电压,电流也在2倍以上。数据手册:https://www.sekorm.com/doc/92248.html

2021-06-23 -  技术问答

【方案】高效率11kW四象限变频器优选元器件方案

普通的变频器大多采用二极管整流桥将交流电转化为直流电,电机回馈能量直接被制动单元消耗,无法送回电网,造成能源浪费。本方案采用Vincotech公司的flow E2封装六管模块,Renesas公司的隔离驱动并配合相关器件,实现能量双向流动,变频器四象限运行,不仅有效降低模块损耗,提高产品效率,而且产品可靠性更高。

ISABELLENHUETTE,RENESAS,VINCOTECH,LITTELFUSE,PI,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO  -  FUSE,数字隔离器,导热硅胶片,交直流,逆变模块,采样电阻,电流检测隔离放大器,导热垫片,保险丝,单片机,TVS,DC-DC,直流-直流,驱动芯片,电压检测隔离模拟放大器,LDO,AC-DC,能量回馈模块,功率电感,高压MOS,MCU,高精度运放,TNY280,SI8921BD,2SK2225-80-E,10-EY126PA100M7-L198F78T,AAP6011A,0505025.MX52LEP,SGM8270,TOP268,SMBJ18CA,10-EY126PA075M7-L197F78T,PS9402,SGM601,SI8931,SGM2036-ADJYC5G,R7S910035,TFLEX™ HD300,SI8380P,SMT-R0068-1.0,SI8261BCC,MGV,EFM8BB3,SI894,TFLEX HD700,变频器,电机,高效率11KW四象限变频器

优选器件方案  - V1.0

【方案】低成本4kW双轴伺服驱动优选元器件方案

本方案采用 Vincotech 公司的 flowPACK0 封装六管模块、Renesas 公司的 IGBT 单管制动、 Renesas 公司的隔离驱动及相关器件,相比于 PIM 模块方案,在满足产品性能前提下,将产品的成本降低到合理的范围,提升产品竞争力。

ISABELLENHUETTE,RENESAS,VINCOTECH,SHINDENGEN,LITTELFUSE,PI,LAIRD,SILICON LABS,SGMICRO  -  FUSE,数字隔离器,交直流,逆变模块,采样电阻,电流检测隔离放大器,导热垫片,单片机,保险丝,TVS,整流桥,驱动芯片,电压检测隔离模拟放大器,LDO,AC-DC,MCU,制动 IGBT,高压 MOS,TNY280,2SK2225-80-E,0505025.MX52LEP,SI838,SGM2036-ADJYC5G/TR,TOP268,SMBJ18CA,V23990-P865-F49-PM,D45XT80,SI8261,PS9402,SGM601,SI8931,SI8921,R7S910035,RJH60F5DPQ-A0,SMT-R0068-1.0,SI894,TFLEX HD700,伺服驱动,伺服驱动器,双轴伺服驱动,4KW 双轴伺服驱动,SERVO DRIVE

优选器件方案  - V1.0

低成本4kW 双轴伺服驱动器优选器件方案中辅助电源单元RENESAS高压MOSFET 2SK2225-80-E有何性能优势?

RENESAS高压MOSFET 2SK2225-80-E性能优势如下: 1、可承受 1500V 耐压,具有高速的开关频率,且不需要很大的电流驱动,非常适合用于逆变电源 。 2、1500V/ 2A 的高压MOS,在行业内批量使用,认可度高,设计方案成熟,世强供货充足。 具体见资料链接:https://www.sekorm.com/doc/41037.html。

2019-04-01 -  技术问答

100KW汇流箱项目辅助电源选用的是900V/4A双MOS方案,为减小电源体积,想选用一颗高压1500V/2A MOSFET替代双MOS方案,请问是否有合适型号 推荐?

推荐RENESAS 2SK2225-80-E#T2高压MOSFET,规格为1500V/2A,可承受最大7A峰值电流,TO-3PFM封装,开启/关闭时间Ton 50ns/Toff 50ns,最高沟道温度达150℃,同时该物料为世强批量常备库存,供货有保证。

2018-06-14 -  技术问答

国产功率器件MOS,快恢复二极管有厂家吗?

世强平台上暂无供应国产的功率MOS和快恢复厂牌,不过,有供应日本shindengen(新电元)、日本KYOCERA(京瓷)、日本renesas(主要供应车规级MOS和工业级2SK2225高压MOSFET)、日本ROHM(罗姆)美国central semiconductor(美国中央半导体)等。

2018-10-29 -  技术问答

变频器辅助电源需要一款MOS,要求国产接受SIC,有宽的工作温度范围,TO-247-3L,有什么推荐的吗?

工业变频器辅助的电源设计通常以反激式开关电源电路拓扑为主,MOS选型,需要根据变频器的输入供电电压来选型MOSFET的参数,变频器按照电压可分类为,低压变频器、中压变频器、高压变频器 1、针对220VAC或380VAC交流输入的低压变频器辅助电源的设计,MOSFET耐压选择,VDSS=380*1.414+100+150=787V,考虑耐压余量,用单管900V耐压MOSFET即可,推荐SI MOS,瑞萨2SK2225-E,1500V 2A, 耐压和电流均可满足,详细参考:https://www.sekorm.com/doc/343362.html 2、针对针对660VAC输入的中频变压器,要求高功率密度设计,高压MOS至少满足1500V耐压(1183*1.2=1419.6V),推荐ROHM,1700V/5A(1.15Ω)SIC MOS,SCT2H12NZGC11,TO-3PF封装,可满足高压设计,降低导通损耗发热,提升效率,低反向传输电容,有效抑制开关噪声,防止振铃效应,导致器件误导通,详细参考规格书:https://www.sekorm.com/doc/781528.html

2021-09-13 -  技术问答

【方案】20KW充电桩优选器件方案

20KW 充电桩的设计一般采用 ACDC+DCDC 的电路拓扑。充电桩防水防尘等级较高,要求达到IP54 等级。效率、体积、散热、通用性及可靠性设计将是充电桩的关键。充电桩经两年以上的市场验证后均体现失效率高的状态。碳化硅功率器件的高频、高效和损耗低的特性能完美的解决该问题。

CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,LONGSUNG,LITTELFUSE,KYOCERA,ROGERS,SILICON LABS,MELEXIS  -  隔离驱动,MOSFET,碳化硅肖特基二极管,维也纳模块,碳化硅MOSFET,TVS二极管阵列,高导热型板材,电流传感器,快恢复二极管,4G模块,平板变压器,92ML,P6SMB,SMBJ,C3M0065090D,SMAJ,SMCJ,TPSMB,2SK2225-80-E#T2,U9507C,TPSMA,SI827X,10-FZ071SA075SM02-L525L18,MLX91210,LSIC2SD120E20CC,C4D20120D,KSU60D60N,2SK2225,充电桩,20KW充电桩,充电栓

优选器件方案  - V2.1

分立功率器件产品内箱标签位置更改产品咨询(PA)(BL202301967)

该资料宣布了Renesas公司对其离散功率器件产品内部包装标签位置进行变更的通知。此次变更适用于IGBT、MOSFET、晶闸管、可控硅和二极管等器件,涉及TO-247、TO-262、TO-3PL、TO-3PF、TO-220FP、TO-220和SOT-223等封装类型。标签位置变更旨在统一标签位置,以改善产品堆叠时的实际产品检查工作。此次变更不会影响现有产品的适配性、形式、功能、质量及可靠性。

RENESAS  -  双向可控硅,DIODE,MOSFETS器件,IGBTS,THYRISTOR,TRIAC,晶闸管,MOSFETS,二极管,BCR8CM-12LB-1#BH0,BCR8FM-14LB-AS#BH0,RJH60T04DPQ-A1#T0,BCR12FM12LB1AR#BG0,BCR25CM-12LB#BH0,BCR3FM-14LB-AS#BG0,BCR5FM-12LB-A8#BH0,BCR16FM-12LBA8#BG0,BCR8FM-14LB1AR#BG0,BCR8CM-12LB#BH0,BCR3FM-12LB-AS#CH1,BCR8FM-14LB-AS#BG0,BCR20FM-12LBA8#BH0,BCR4CM-16LH-1#BH0,CR12CS-16B-A1#BH0,BCR16FM-12LBA8#CH1,BCR30CM-8LB#BH0,BCR10FM-12LCA8#BG0,BCR8FM-12LB-AS#BG0,BCR16FM-12LCA8#BG0,BCR20FM-14LJA8#BH0,BCR25CM-14LJ#BH0,BCR3FM-12LB1AS#BH0,BCR8FM-12LB1AR#BG0,CR12CM-12A#BH0,BCR16CM-16LH#BH0,RJH65T04BDPM-A0#T2,BCR10FM-14LJA8#BH0,BCR8FM-12LB-AS#BH0,BCR16FM-16LHAS#BG0,N0603N-S23-AY,BCR10FM-12LBAS#CH4,BCR12FM-12LCAS#CG3,BCR8FM-20LA-A8#BH0,BCR12FM-12LBAS#BG0,BCR16CM-14LJ#BH0,BCR16FM-12LBA8#BH0,RJH1CF7RDPQ-80#T2,BCR10FM-12LBAS#BG0,BCR6CM-12LB-1#BH0,BCR10FM-12LBA8#BH0,RJH60F7DPQ-A0#T0,BCR8FM-16LB-A8#BG0,RJH60F7BDPQ-A0#T0F,2SK1522-E1-E#T2,BCR10CM-12LB#BH0,BCR8CM-14LJ#BH0,RJU6054WDPQ-A0#T2,BCR16FM-14LJAS#BH0,BCR3FM-12LB1A8#BG0,BCR10FM-12LBAS#BH0,BCR10CM-16LH#BH0,RJH65T47DPQ-A0#T0,CR6CM-12A#BH0,2SK1629-E1-E#T2,RJH65T04BDPMA0#T2F,BCR5FM-12RB-A8#BH0,CR12FM-12B-A8#BH0,RJK0603DPN-A0#T2,RJH60D7BDPQ-E0#T2,BCR3FM-12RB-AS#GG1,2SK1527-E1-E#T2,BCR12FM-14LBAS#GG1,BCR3FM-12LB-AS#BG0,RJH60F3DPQ-A0#T0,RJH60F0DPQ-A0#T0,BCR10FM-12LBAR#BH0,BCR3FM-12LB-AR#CH1,BCR5FM-12LB-A8#CH1,BCR8FM-14LB1A8#BH0,BCR8FM-16LB-AS#BH0,CRD5CM-8B#BH0,RJH65D27BDPQ-A0#T0,RJH65D27BDPQ-A0#T2,RBN40H65T1FPQ-A0#CB0,BCR20CM-14LJ#BH0,BCR3FM-12LB-A8#BH0,BCR8FM-14LC-A8#BG0,BCR16CM-12LB-1#BH0,BCR12CM-12LB-1#BH0,CR3CS-8A-A1#BH0,BCR3FM-12RB1AS#BG0,BCR3FM-12LB-AR#CG4,BCR5CM-12RA#BH0,BCR12CM-16LH-1#BH0,BCR16CS-16LBA1#BH0,BCR5FM-12LB-A8#BG0,BCR8FM-16LB-AS#BG0,BCR16CM-16LH-1#BH0,BCR10CS-12LBA1#BH0,BCR10FM12LB1A8#BH0,BCR25FM-14LJA8#BH0,CR6CM-12B#BH0,RBN40H125S1FPQ-A0#CB0,BCR16CM-16LB#BH0,BCR20CM-16LB#BH0,BCR12FM-12LBA8#BH0,BCR5FM-12LB-AS#BG0,BCR12CM-16LH#BH0,BCR8FM-12LB-A8#CH1,RJP60V0DPM-80#T2,BCR16FM-12LBAS#CH4,RJH60F4DPQ-A0#T0,BCR3FM-12LB-AR#BH0,BCR5CM-12LB#BH0,RJH60T4DPQ-A0#T0,RJU60C3WDPQ-A0#T2,CR6FM-12B-A8#BG0,BCR3FM-12LB-A8#CH1,RJH60F7BDPQ-A0#T0,N0434N-S23-AY,RJH60F5BDPQ-A0#T0,BCR8FM-12LB-A8#BG0,BCR3FM-12LB-AR#BG1,RJH65D27BDPQA0#T2F,BCR3FM-12LB-AR#BG0,BCR16CM-12LC#BH0,BCR20FM-12LBAS#BH0,BCR8FM-14LB-A8#BH0,N0609N-S19-AY,H5N5016PL-E0-E#T2,BCR12CM-14LJ#BH0,BCR3FM-12LB-A8#BG0,BCR8FM-14LJ-A8#BH0,BCR12FM-12LCA8#BG0,RJH65T46DPQ-A0#T0,BCR5CM-12LB-1#BH0,BCR6CM-12LB#BH0,CR3CS-12A-A1#BH0,CR8CM-12A#BH0,BCR8FM-12LB-A8#BH0,RJK0703DPN-A0#T2,RJP65T54DPM-A0#T2,BCR16FM-12LBAS#BH0,BCR5CM-14LJ#BH0,N0435N-S19-AY,RJK1590DP3-A0#J2,BCR10FM12LB1A8#BG0,N0604N-S19-AY,RJK1590DP3-A0#J7,BCR12CM-12LB#BH0,BCR12FM-12LBA8#BG0,BCR5FM-12LB1A8#BG0,BCR5FM-14LC-A8#BG0,BCR10FM-12LBA8#BG0,BCR20FM-14LJAS#BH0,RJH1CF4RDPQ-80#T2,RJK1002DPN-A0#T2,RBN50H65T1FPQ-A0#CB0,CR8FM-12B-A8#BH0,BCR16FM-12LBAS#BG0,BCR3FM-12LB1A8#BH0,RBN25H125S1FPQ-A0#CB0,BCR12FM-14LBA8#BH0,BCR20CM-12LB-1#BH0,BCR12FM12LB1AS#BG0,BCR12FM12LB1A8#BH0,RJH65T14DPQ-A0#T0,BCR5FM-12LB1A8#BH0,BCR5FM-12LB1AS#BG0,BCR8FM-12LB1A8#BG0,BCR8FM-14LB-AR#FG0,BCR4CM-16LH#BH0,BCR12FM-14LBAS#BG0,BCR16FM12LB1A8#BH0,BCR8FM-20LA-AS#BH0,H5N5004PL-E0-E#T2,BCR20CM-12LB#BH0,BCR12FM12LB1A8#BG0,RJK1003DPN-A0#T2,N0602N-S19-AY,BCR12FM-12LCAS#BG0,BCR16CM-12LB#BH0,BCR16FM12LB1A8#BG0,BCR5FM-14LB-A8#BG0,RJU60C6SDPQ-A0#T2,2SK2225-80-E#T2,BCR12FM-14LBAS#BH0,RBN75H125S1FP4-A0#CB0,N0439N-S19-AY,N0412N-S19-AY,BCR5FM-14LB-A8#BH0,BCR16FM12LB1A8#CH1,RBN75H65T1FPQ-A0#CB0,H5N5005PL-E0-E#T2,BCR8FM-14LJ-A8#BG0,BCR3FM-12LB1AR#BG0,BCR5FM-14LB-AS#BG0,BCR8CS-12LB-A1#BH0,BCR10CM-14LJ#BH0,CR8CM-12B#BH0,BCR6CM-12RA#BH0,BCR8FM-14LB-A8#BG0,RJH60F5DPQ-A0#T0,BCR12FM-14LBA8#BG0,BCR16FM-12LBAR#BG0,BCR8FM-12LB1A8#BH0,RJP65T43DPQ-A0#T2,BCR5FM-14LJ-A8#BH0,BCR16FM-14LBA8#BG0,RJH60D5BDPQ-E0#T2,BCR12CM-16LB#BH0,BCR8FM-12LC-A8#BG0,BCR10CM-16LH-1#BH0,BCR10CM-12LB-1#BH0,BCR12CS-12LBA1#BH0,BCR3FM-12LB1AR#BH0,BCR8FM-12LB1AS#BG0,RJH60F5DPQ-A0#T0F,BCR16FM-14LBAS#BG0,CR12CM-12B#BH0,BCR5FM-14LB-AS#BH0

8/2/2023  - 产品变更通知及停产信息

【方案】30KW直流充电桩优选器件方案

传统直流充电桩采用的 IGBT 功率模块开关频率最高在 20KHz 左右,系统所用电感和变压器体积和内阻都很大,导致系统体积和效率都很低,本 30KW 直流充电桩方案通过采用高开关频率的 IGBT功率模块以及高性价比的驱动芯片并结合其它所推荐器件可以使系统获得更高效率,同时体积更小。

RICOH,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,EPSON,SHINDENGEN,LITTELFUSE,LAIRD,ROGERS,SILICON LABS,MELEXIS,WIMA  -  电流检测芯片,RTC,FUSE,导热绝缘垫,TVS阵列,PCB散热,瞬态抑制二极管,半导体制冷片,单片机,保险丝,输出整流,实时时钟,隔离芯片,逆变转换功率模块,驱动芯片,LDO,自恢复保险丝,制冷片,DC-LINK滤波,高压MOS,维也纳整流,MCU,2SK2225-80-E,SMBJ,SMDJ,1812L,PS9402,MLX91208,30R,TGARD3000,TGARDK52-2,60R,RZ/A1,0505,R1240X,SLVU2.8-4BTG-S,0504,S30K100V,FKP_1,92ML,RX8900CE,SMAJ,SMCJ,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,TGARD500,SI86XX,2920L,直流充电桩,30KW直流充电桩,充电桩,充电栓,充电系统

优选器件方案  - V2.0
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品类:开关稳压器

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