2CG010BBC11N Gate Driver Module Datasheet

2022-06-29
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●概述
■栅驱动器2CG010BBC11N是为IGBT和SiC MOSFET设计的双通道栅驱动器。

■高击穿电压和低寄生电容使其适用于SiC MOSFET和IGBT等栅极驱动器。

●特征
■IGBT和SiC MOSFET驱动的理想选择
■栅极电压:+15V/-10V
■一体式(内置隔离DC/DC转换器和栅极驱动电路)
■低寄生电容(约12pF);高抗共模噪声。

■快速响应:约100nsec(典型)
■一次二次信号的隔离采用快速响应隔离器。

■输入到输出介质耐受电压:AC5000V
■输出CH1至输出CH2的介质耐受电压:AC4000V
■输入到输出绝缘距离:14mm(间隙),16mm(爬电)(与栅极驱动模块PCB相同)
■输出CH1至输出CH2绝缘距离:7mm(间隙),12mm(爬电)
■DC/DC转换器输入电压:13~28V
■信号输入电压:3.3V,5V
■过载保护(DC/DC转换器)
■过热保护(DC/DC转换器)
■半桥模式(门驱动电路)
■去饱和保护(门驱动电路)
■软关闭功能(门驱动电路)
■故障信号输出功能(门驱动电路)
■Miller功能(门驱动电路)
■欠电压锁定(UVLO)(门驱动电路)
■绝缘防潮涂料
■安全标准:UL508(文件号E243511)(仅限DC/DC转换器)
■符合IEC 60664-1(IEC61800-5-1、IEC62477-1、IEC62109-1等)的加强隔离
■符合UL标准(UL1741、UL508、et

2CG010BBC11N栅极驱动器模块规格书

TAMURA

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Input Voltage Range for DC/DC Converter(max)(Vdc)
DC/DC Converter Output Power(max)(W)
Storage humidity range(%RH)
2CG010BBC11N
驱动器
13.5Vdc
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5%RH~95%RH
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