RapidRF Smart LDMOS Front-End Designs
NXP的RapidRF智能LDMOS前端设计提供了与高效射频功率放大器、线性预驱动器、带T/R开关的Rx低噪声放大器和环行器的进一步集成,所有这些都在紧凑的封装中,现在在功率放大器封装中包括偏置控制器和温度传感器。这些设计包括用于DPD反馈的耦合器,并与数字预失真一起使用。
RapidRF参考板非常适合需要2.5至8瓦(34-39 dBm)天线平均发射功率的5G无线电单元。用于多个频段的通用PCB布局简化了设计和制造,加快了上市时间。
RapidRF智能LDMOS前端设计 |
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[ 5G无线电单元 ] |
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参考设计,Reference Design,应用笔记或设计指南 |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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May 16, 2022 |
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NXP的RapidRF Smart LDMOS前端设计集成了高效射频功率放大器、线性预驱动器、接收器LNA带T/R开关和环行器,所有这些都在紧凑的封装内。该设计还包括功率放大器封装内的偏置控制器和温度传感器,并配备耦合器用于DPD反馈,适用于数字预失真。RapidRF参考板适用于需要2.5至8瓦平均发射功率的5G无线电单元,适用于多个频段,简化了设计和制造,加快了上市时间。
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