HX318C10F/8 8GB 1G x 64-Bit DDR3-1866 CL10 240-Pin DIMM
●描述：HyperX HX318C10F/8是一个1G x 64位（8GB）DDR3-1866 CL10 SDRAM（同步DRAM）2Rx8内存模块，基于16个512M x 8位DDR3 FBGA组件。该模块已测试在DDR3-1866下运行，在1.5V下的低延迟时间为10-11-10。其他定时参数如下面的PnP定时参数部分所示。JEDEC标准电气和机械规范如下。
●特征
■JEDEC标准1.5V（1.425V～1.575V）电源
■VDDQ=1.5V（1.425V～1.575V）
■用于1866Mb/s/pin的933MHz fCK
■8独立内部银行
■可编程CAS延迟：13、11、10、9、8、7、6
■可编程加法延迟：0、CL-2或CL-1时钟
■8位预取
■突发长度：8（无任何限制的交织，仅与起始地址“000”连续），4，tCCD=4，不允许无缝读写[使用A12 MRS动态读取或写入]
■双向差分数据选通
■内部（自）校准：通过ZQ引脚进行内部自校准（RZQ:240欧姆±1%）
■使用ODT引脚的芯片端接
■在低于TCASE 85°C时的平均刷新周期为7.8us，在85°C
■高度1.291“（32.80mm），带散热器，双面组件
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HX318C10F/8 8GB 1G X 64位DDR3-1866 CL10 240针DIMM |
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数据手册,数据表,Data sheet |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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04/23/15 |
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4807021-001.B00 |
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387 KB |
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