SLD80N03T 30V N-Channel MOSFET

2022-07-25
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●一般说明：

■该功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条纹沟槽技术生产。

■这项先进技术特别适合于最小化传导损耗，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。

●特征：

■N通道：30V 80A
◆RDS（on）Typ=4.8mΩ@VGS=10V
◆RDS（on）Typ=7.5mΩ@VGS=4.5V
■极低导通电阻RDS（On）
■低CRS
■快速切换
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt能力

SLD80N03T 30V N沟道MOSFET

美浦森

SLD80N03T

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