ASC30N1200MT7 11200V N-Channel MOSFE

时间： 2022-08-15

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碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比，该技术提供了优异的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。因此，系统优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。

▲特征
●低电容高速开关
●高阻断电压，低RDS（on）
●带有独立驱动器源引脚的优化封装
●易于并联和简单驱动
●符合ROHS标准，无卤素

中文标题（翻译）:	ASC30N1200MT7 11200V N沟道MOSFET
厂牌:	爱仕特
型号:	ASC30N1200MT7 查看更多 Part#
品类:	N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管查看更多
应用:	[ 电动汽车充电 ][ 高压dc/dc变换器 ][ 功率因数校正模块 ][ 模式电源开关 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-263-7 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022/6/30
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	1.3 MB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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