EPC23102 – V-IN,100 V, I-Load,35 A ePower™ Stage IC DATASHEET
●ePower™ Stage IC产品系列集成了输入逻辑接口、电平移位、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及egallium氮化物输出FET。集成使用EPC专有的氮化镓IC技术实现。最终的结果是一种功率级IC，它将逻辑电平输入转换为尺寸更小、更易于制造、设计更简单、操作更高效的高电压和高电流功率输出。
●特征
■集成高侧和低侧氮化镓®FET，带内部栅极驱动器和电平移位器
■5V外部偏置电源
■3.3 V或5 V CMOS输入逻辑电平
■独立的高端和低端控制输入
■当输入同时为高电平时，逻辑锁定命令两个FET关闭
■用于调整SW开关时间和轨上和地下过电压尖峰的外部电阻器
■适用于硬开关和软开关条件的鲁棒电平移位器
■快速切换瞬变的假触发抗扰度
■高压自举电源的同步充电
■禁用输入接通VDRV电源的低静态电流模式
■低压侧VDD电源的上电复位
■高压侧VBOOT电源的欠压锁定
■丢失VDRV电源的HS FET和LS FET的有源栅极下拉
■具有暴露顶部的热增强QFN封装，用于从结到顶侧散热器的低热阻
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EPC23102–V-In、100 V、I-Load、35 A ePower™级IC数据表 |
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[ 降压-升压转换器 ][ 全桥LLC变换器 ][ 升压变换器 ][ 巴克变换器 ][ 半桥LLC转换器 ][ D类音频放大器 ][ 电机驱动逆变器 ] |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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QFN |
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中文 英文 中英文 日文 |
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7/20/2022 |
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VERSION 1.0 |
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1.8 MB |
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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