ZMD68405M Dual N-Channel Power MOSFET

2022-09-06
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■一般说明
●它结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，提供极低的RDS（ON）。

■特征
●高单元密度沟槽技术进展
●低RDS（ON）以最小化传导损耗
●用于快速切换的低栅极电荷
●一个封装中的双芯片

ZMD68405M双N沟道功率MOSFET

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