CJ2310 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

2022-09-08
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●描述
■CJ2310采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。

●特征
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装

CJ2310 SOT-23塑料封装MOSFET

长晶科技

CJ2310

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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
Package
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Single-N
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