CJ2310 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
●描述
■CJ2310采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。
●特征
■高功率和电流处理能力
■获得无铅产品
■表面贴装封装
CJ2310 SOT-23塑料封装MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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SOT-23 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/8/8 |
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Rev. - 2.2 |
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1.2 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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品类
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Type
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ESD(Yes/No)
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ID(A)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
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