ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
●SiC MOSFET消除了开关过程中的尾电流，从而加快了操作速度，降低了开关损耗，提高了稳定性。较低的导通电阻和紧凑的芯片尺寸会降低电容和栅极电荷。此外，SiC具有优异的材料性能，例如最小的ON电阻增加，与硅（Si）器件相比，SiC可以实现更大的封装小型化和节能，其中ON电阻可以随着温度的升高而增加一倍以上
●ROHM'；第四代SiC MOSFET:
■最新的第4代SiC MOSFET在不牺牲短路耐受时间的情况下，提供业界领先的低导通电阻。其他功能包括低开关损耗和支持15V栅源电压，有助于进一步节省设备功率
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SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
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