RC3414 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

2022-09-23
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●特性
■V-DS（V）=20V
■I-D=4.2A（V-GS=4.5V）
■R-DS（ON）<50mΩ（V-GS=4.5V）
■R-DS（ON）<63mΩ（V-GS=2.5V）
■R-DS（通）<87mΩ（VGS=1.8V）

RC3414 N沟道增强型场效应晶体管

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2022/8/9

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产品型号
品类
Polarity
V(BR)DSS(V)
Id(A)
Pd(W)
VGS(V)
IDM(A)
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
RC2312
MOSFET
N
20V
7A
0.35W
±8.0V
20A
15mΩ
25mΩ
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