DOZ4606K N+P Channel MOSFET

2022-09-23
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■说明:

●这种N+P沟道MOSFET采用先进的沟道技术和设计,以低栅电荷提供出色的R-DS(on)。

●它可以用于多种应用。

■特征:

●N通道:V-DS=30V,I-D=9.5A,R-DS(ON)<28mΩ@V-GS=10V
●P通道:V-DS=-30V,I-D=-8.5A,R-DS(ON)<52mΩ@V-GS=-10V
◆低门电荷。

◆绿色设备可用。

◆用于超低R-DS(ON)的先进高牢度沟渠技术。

◆良好的散热封装。

DOZ4606K N+P沟道MOSFET

杜因特

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