DOZ4606K N+P Channel MOSFET
■说明:
●这种N+P沟道MOSFET采用先进的沟道技术和设计,以低栅电荷提供出色的R-DS(on)。
●它可以用于多种应用。
■特征:
●N通道:V-DS=30V,I-D=9.5A,R-DS(ON)<28mΩ@V-GS=10V
●P通道:V-DS=-30V,I-D=-8.5A,R-DS(ON)<52mΩ@V-GS=-10V
◆低门电荷。
◆绿色设备可用。
◆用于超低R-DS(ON)的先进高牢度沟渠技术。
◆良好的散热封装。
DOZ4606K N+P沟道MOSFET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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DFN3*3-8D |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2021/11/4 |
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4.3 MB |
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