VS4604BT 45V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET

时间： 2022-09-30

以下内容由AI生成，仅供参考

展开

收起

●特点：
■N通道，5V逻辑电平控制
■增强模式
■极低导通电阻RDS（ON）@VGS=4.5V
■100%雪崩测试
■无铅电镀；符合RoHS规范

中文标题（翻译）:	VS4604BT 45V/150A N沟道高级功率MOSFET
厂牌:	威兆半导体
型号:	VS4604BT 查看更多 Part#
品类:	N沟道高级功率MOSFET 查看更多
应用:	查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-220AB 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	APR, 2022
过期日期:
版本号:	Rev B
文档编码:
文件大小:	1.2 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

资料部分预览(2页)

- 预览已结束，资料共 6页，预览全部，请登录/注册 -

立即下载完整资料资料将发送到工作邮箱，自动同步至所有设备，方便管理

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文内容由威兆半导体品牌授权世强硬创平台转载，旨在分享知识与信息，如有内容侵权或者其他违规问题，请及时与我们联系，我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容，世强硬创平台不承担任何版权责任。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

VS3614GE 30V/31A N沟道高级功率MOSFET

该资料详细介绍了VS3614GE这款30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其增强模式、低RDS(on)以减少导通损耗、VitoMOS®Ⅱ技术等。资料还提供了该产品的电气特性、热特性、典型特性和封装信息。

威兆半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,VS3614GE

NOV, 2022 - 数据手册 - Rev A

VS6880AT 68V/90A N沟道高级功率MOSFET

威兆半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,VS6880AT

2023/7/5 - 数据手册 - Rev E

VSD280N65HS 650V/17A N沟道高级功率MOSFET

VSD280N65HS是一款650V/17A的N-Channel Advanced Power MOSFET，采用Super Junction Technology，具有低导通电阻、高可靠性等特点。资料详细介绍了该产品的电气特性、热特性、封装类型、标记信息等。

威兆半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,VSD280N65HS

OCT, 2022 - 数据手册 - Rev A

威兆半导体MOSFET选型表

提供威兆半导体MOSFET选型：电压范围为-100V-1500V，沟槽工艺，雪崩能力强，中低频应用，屏蔽栅工艺，平面工艺，雪崩能力强，大电流应用，多层外延，极低RDSON,更优的动态参数，高频应用

RDON Typ * [mohm] @VGS=4.5V

RDON Typ * [mohm] @VGS=2.5V

选型表 - 威兆半导体立即选型

VS1605ASM 100V/14A N沟道高级功率MOSFET

该资料详细介绍了VS1605ASM型100V/14A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性，包括其电气特性、热特性、开关特性、典型特性和封装信息。资料中提供了该产品的详细参数，如漏源击穿电压、栅极-源极电压、漏源导通电阻、连续漏源电流等，并附有典型特性曲线和封装尺寸图。

威兆半导体 - N-CHANNEL ADVANCED POWER MOSFET,N沟道高级功率MOSFET,VS1605ASM

NOV, 2022 - 数据手册 - Rev A