SLKOR(萨科微)功率元器件和模块选型指南
●深圳市萨科微半导体有限公司,技术骨干来自清华大学和韩国延世大学,以新材料新工艺新产品引领公司发展,掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的国家级高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时,也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等,逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。
●萨科微产品日益丰富,用于工业和军工产品有:碳化硅SiC二极管、碳化硅SiCMOS管、IGBT管、第五代超快恢复功率二极管等,满足新能源汽车、高端装备、通讯电力设备、太阳能光伏、医疗设备等行业对高性能产品的需求;应用于民用消费类产品有:高中低压的MOS管、可控硅、桥堆等功率器件,肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用二极管三极管,和电源管理芯片、霍尔HALL传感器、高速光耦等系列,在智能手机、手提电脑、机器人、智慧家居、物联网车联网、LED照明、3C数码产品等领域得到广泛的应用。
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SLKOR(萨科微)功率器件/二极管/三极管/电源管理芯片/霍尔传感器/光耦选型指南
公司简介 场效应管/IGBT单管 单向/双向可控硅 稳压二极管 三极管 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥 霍尔传感器 光耦 石英晶体谐振器
SLKOR - MOSFET,SIC场效应晶体管,SCR,REFERENCE POWER SUPPLY,石英晶体,超级结MOSFET,开关二极管,HIGH-SPEED OPTOCOUPLER,瞬态抑制二极管,晶闸管,三端双向可控硅,高速光耦,双向可控硅,TVS,ZENER DIODE,快速恢复二极管,石英晶体谐振器,TVS管,达林顿晶体管阵列,单向可控硅,光耦合器设备,功率器件,双极性结型晶体管,静电放电,稳压二极管,静电保护器件,ESD管,TRIAC,SIC MOSFET,IGBT DISCRETE,肖特基二极管,DARLINGTON ARRAY,直流-直流,OPERATIONAL AMPLIFIER,HALL SENSOR,整流桥,光敏晶体管,IGBT分立器件,三极管,基准电源,碳化硅场效应管,RECTIFIER BRIDGE,快恢复二极管,参考电源,HALL传感器,齐纳二极管,DC-DC,电源管理芯片,LDO,ESD,OPTICALCOUPLER EQUIPMENT,PHOTO TRANSISTOR,整流二极管,FAST ECOVERY DIODE,QUARTZ CRYSTAL,RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY DIODE,晶体管光耦,霍尔传感器,SWITCHING DIODE,SUPER JUNCTION MOSFET,超结场效应管,低压差线性稳压器,可控硅,BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR,运算放大器,三合会,达林顿阵列,场效应管,光耦,IGBT单管,TRIACS,二极管,运放,BZT52C43S,SS110,MCR00-8,SMCJ440CA,SL11N65CF,MC34063S,ZMM200,PC817,SL2310,SL3400,SL1629SH,SL252030MXXX,RS1A,RS1M,DB107S,GBU4005,1N4148WS,SMF5.0CA,DSK32,SL40T120FL,SL1625SH,MMBT4401,LM317,SL36N120A,SL75T65FL,SL50328MXXX,MMSZ5259B,SL22N120A,SL2301,BT151,GBP210,SL2302,BT169D,SL49SM8M20P-20,1SMB5921B,SL1613SH,S2MF,SL49SM12M20P-20,2N7002,SL201624MXXX,BTA26-800,SL322540MXXX,S3AB,SL4949,GBU610,BFG520,SL252016MXXX,BZT52B2V4,BZT52B43,SL1605SH,ZM4727,1SMA4777A,SL1609SH,BTA41-800,GBU6005,SL21N65CF,SL25T120FL,BTA24-800,SD05C,SL4275,ULN2003,SL1613TH,ES2A,SS525,6N137,6N136,SL15N65CF,WE05DF-BS,ULN2803,BT138-800,2SC3357,SL78LXX,LM2575,6N135,ZMM2V0,LM2576,BZT52C2V4S,US1A,SMF5.0A,SMAJ170A,SL10N120A,S5MB,RS2A,RS2M,MMBT5551,US1M,SL80N120A,S8550,S2AF,SMBJ5.0C,M1,SS22,BSS123,M7,SS310,ABS210,MMBT3904,MMBT3906,SMF58CA,BT137-800,MM1Z39B,ABS201,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,BTA12-600,BAV99,SS32,SMBJ5.0,SL1623SH,SMBJ170CA,SL201612MXXX,BSS138,SL322512MXXX,1SMB5956B,ES2J,FR101,SS12,SL3N170AP,1SS181,FR107,SMF58A,78MXX,SL50T65FL,SM15C,SL1619SH,LL4148,MM1Z2V2B,SMAJ5.0A,MMBTA05,SL14N120A,BC817,SS8050,DB201S,SL1615SH,S1A,LM321,S5AB,SMCJ5.0CA,DSK310,GBU410,SS210,BCP51,SL40T65FL,BCP53,S8050,S1M,B772,SMBJ170A,SL28N65A,MMBT2222A,SLM601,BTA16-800,AMS1117-XX,ZM4761,TL431,SS52,NUP2105LT1G,DB101S,SL322524MXXX,SL1603SH,IRF640,SD12C,S9013,GBP2005,SL3407,BZT52C39,SL7N65CD,SMCJ5.0A,BZT52C2V4,SL50N120A,S3MB,MMSZ5221B,SS8550,SL3415,SMAJ170CA,GBLC05CI,BAV21W,DB207S,LM358S,SL80N65CT,1SMA4728A,通讯设备,变频器,基站电源,超薄电脑,自控电路,UPS不间断电源,TWS蓝牙耳机,电子钟,驱动电路,计算器,照明,ADAPTER,计时器,电动工具,交通控制,手持电动工具,移动通讯产品,变频控制,电子计算机,稳频计时电子产品,VRM,适配器,TVS蓝牙耳机,直流电机调速系统,数字仪表,地铁,流量计,微机接口,斩波器,小型电子设备,移动手机,电机,电子设备,BP机,无刷电机,脉冲放大电路,开关电源供电,逆变器,电源设备,净水器,小厨电,水表,电话机,电机调速,SWITCHING POWER SUPPLY,开关电源,手机,电子开关,电子玩具,消费电子,风电设备,仪器仪表,扫地机器人,火车,电动汽车,工业电机,控制器,气表,电子产品,工业,电车,玩具,电视机,开关电路,工业控制,固态继电器,医疗设备,太阳能设备,快充PD,电子锁,充电桩,风力发电,小型电脑,平板电脑,多谐振荡器,小家电,通信设备,BALLAST,跳绳,美容美发工具,家用电器,镇流器,SSR,笔记本电脑,阀门,电源适配器,氙灯
100V/33A的N沟道场效应管IRF540NS,具有低导通电阻和低阈值电压等特性
萨科微半导体推出的中压MOS管IRF540NS作为一款性能卓越的N沟道场效应管,漏源电压达到100V,连续漏极电流为33A,具有低导通电阻和低阈值电压等特性,使其成为通信系统中电源管理、驱动控制和能量转换的理想选择。
降本&高效!采用1200V 40mΩ SiC MOSFET的开关电源有效提高系统效率和增强可靠性
开关电源上使用1200V 40mΩ SiC MOSFET能够提高系统的效率、可靠性和性能,在工业级电源、数据中心电源和新能源汽车充电桩等应用中表现尤为突出。相比传统的硅基MOSFET,SiC MOSFET具有更低的导通电阻和更高的工作温度,这使其在高功率密度和高效率的应用中具有显著优势。
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
瞻芯电子提出新能源汽车恒流预充固态继电器方案,体积大幅降低70%以上,性能优异,成本更低
瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案,采用恒流控制的buck电路,可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅(SiC)MOSFET和碳化硅(SiC)SBD组成恒流充电回路,整个预充过程电流恒定,既降低了对于功率器件的要求,同时也大大提高了预充速度,而且不需要电阻,即可让后级电容充到母线电压。
650V SiC MOSFET:开启电力电子新时代
宽禁带半导体的MOSFET相对于硅基MOSFET虽然结构上基本一致,由于禁带宽度是硅基10倍以上,在导通内阻值的大小有何区别,这篇文献将会做一个详细介绍。
【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
高压快充推动碳化硅SiC器件产业化:新能源汽车市场趋势与技术革新
随着全球新能源汽车市场的蓬勃发展,高压快充技术作为新能源汽车补能的主要解决方案,正逐步成为市场主流。凭借多年来在磁性元器件领域中积累的研发技术、生产经验,铭普已形成PFC电感、共模电感、电源变压器、PLC变压器和塑封逆变电感等系列产品矩阵且积极与碳化硅芯片公司合作。
瑞之辰授权世强硬创,代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
产品应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等领域。
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
SMC 1700V SiC MOSFET用于中功率新能源,两级拓扑更简单,效率、功率密度、可靠性提升
高电压SiC MOSFET在低功率辅助电源的应用带来了诸多收益。2015年,SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。目前,SMC在650V-1700V SiC MOSFET的研发与生产上均有所规划,并将于2024年下半年实现大批量量产。
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
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