SFD1N65 1A,650V N-CHANNEL POWER MOSFET

时间： 2022-11-09

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●概述
■这些N沟道增强模式电源可提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
●特性
■ID=1A，VDS=650V
■RDS（ON）
◆典型值：7.5Ω@VGS=10V
◆最大值：8.5Ω

中文标题（翻译）:	SFD1N65 1A，650V N沟道功率MOSFET
厂牌:	HI-SEMICON
型号:	SFD1N65 查看更多 Part#
品类:	N沟道功率MOSFET 查看更多
应用:	[ 开关模式电源 ][ 不间断电源 ][ LED照明电源 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-252-2L 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2021/8/24
过期日期:
版本号:	Rev 1.0
文档编码:
文件大小:	768 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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