SFS6010T2 60V, 7A Dual N-CHANNEL POWER MOSFET

2022-11-09
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●一般说明
■ SFS6010T2采用先进的沟槽技术和设计,以低结电容提供出色的RDS(on)。它可用于多种应用。

●特征
■VDS=60V,ID=7A
■RDS(打开)
◆典型值:33.5mΩ@VGS=10V
◆典型值:38.2mΩ@VGS=4.5V

SFS6010T2 60V、7A双通道N沟道功率MOSFET

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